A、出钢→钢包
B、钢包→中包→结晶器
C、钢包LF位→VD位
D、结晶器→二冷

A、1539℃+△T1+△T2+△T3+△T4
B、1539℃-△T1-△T2-△T3-△T4
C、1539℃+△T1-△T2-△T3-△T4
D、1539℃+△T1+△T2-△T3-△T4

A、摄氏
B、华氏
C、开氏
D、马氏

A、参数采集
B、设备控制
C、过程控制
D、显示工艺参数

A、增加
B、降低
C、不变
D、成倍增长

A.lgLP=lg{（P）/[P]}
B.LP={（P）/[P]}
C.lgLP={（P）/[P]}

A、大于50微米
B、大于100微米
C、大于150微米
D、小于50微米

A、FeSi
B、莹石
C、电石
D、铝粒

A、金属材料
B、高铝质
C、石墨质
D、硅质

A、高碱度
B、低温
C、高FeO
D、低碱度

A、Si
B、Mo
C、Cr
D、Cu