化学气相淀积SiO₂与热生长SiO₂相比较，下面哪些说法是正确的：（）。 
1.热生长SiO₂只能在Si衬底上生长；
2.CVD SiO₂可以淀积在硅衬底上，也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上；
3.CVD SiO₂，衬底硅不参加反应；
4.CVD SiO₂，温度低。

下面选项属于主扩散的作用有（）。 
1.调节表面浓度
2.控制进入硅表面内部的杂质总量
3.控制结深

不论正胶或负胶，光刻过程中都包括如下步骤：
1.刻蚀
2.前烘
3..显影
4.去胶
5.涂胶
6.曝光
7.坚膜
以下选项排列正确的是：（）。