查答案就用赞题库小程序 还有拍照搜题 语音搜题 快来试试吧
无需下载 立即使用

你可能喜欢

问答题

简述离子注入的优缺点

参考答案:优点:精确控制杂质含量、很好的杂质均匀性、对杂质穿透深度有很好的控制、产生单一离子束、低温工艺、注入的离子能穿过薄膜、无...

问答题

简述热扩散的三个步骤,以及它们的作用

参考答案:

问答题

简述掺杂的两种方法

参考答案:A.热扩散:利用高温驱动杂质穿过硅的晶格结构。这种方法受到时间和温度的影响B.离子注入:通过高压离子轰击把杂质引入硅片现...

问答题

氧化层在芯片制备中有哪几方面的应用?

参考答案:(1)保护器件免受划伤和隔离污染(2)限制带电载流子场区隔离(表面钝化)(3)栅氧或储存器单元结构中的介质材料(4)掺杂...

问答题

简述常见的初级泵和高级泵。

参考答案:常见的两种初级泵:A.干性机械泵B.增压/调压泵:可处理大量气体而不需要润滑剂,增压器通常被称为罗茨增压泵常见的两种高真...

问答题

工艺用气体通常分为哪两类?

参考答案:

问答题

简述硅片清洗目标

参考答案:去除所有表面沾污(颗粒、有机物、金属、自然氧化层)

问答题

晶体缺陷根据维数可分为哪四种?

参考答案:

点缺陷—空位、自填隙等
线缺陷—位错
面缺陷—层错
体缺陷

问答题

GaAs相对Si的优点和缺点是什么?

参考答案:优点:A.比硅更高的电子迁移率,高频微波信号响应好——无线和高速数字通信B.抗辐射能力强&mda...

问答题

简述微芯片技术发展的主要趋势

参考答案:提高芯片性能(速度、功耗)、提高芯片可靠性(低失效)、降低芯片成本(减小特征尺寸,增加硅片面积,制造规模)
赞题库

赞题库-搜题找答案

(已有500万+用户使用)


  • 历年真题

  • 章节练习

  • 每日一练

  • 高频考题

  • 错题收藏

  • 在线模考

  • 提分密卷

  • 模拟试题

无需下载 立即使用

版权所有©考试资料网(ppkao.com)All Rights Reserved