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简述多晶硅注入的应用

参考答案：

源漏区注入
该部分的注入工艺其能量相对较低，但剂量属中高范围，一般采用中束流及大束流注入机。
（1）大角度晕环注入工艺
Halo是大角度（大于20°）方向的中剂量离子注入工艺，它的主要功能是防止源漏相通，降低延伸区的结深及缩短沟道长度，有利于提高芯片的性能，一般在延伸注入工艺之后注入。
（2）延伸注入工艺（LDD）
LDD是定义漏源区的注入工艺，这种区域通常称为漏源扩展区。其作用是优化源漏间的电场分布，降低最高电场，在高阻与电阻区之间起一个衔接作用。

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