A.提出假设H0：μ≤100；H1：μ＞100
B.提出假设H0：μ≥100；H1：μ＜100
C.检验统计量及所服从的概率分布为
D.如果Z＞Zα，则称与μ0的差异是显著的，这时拒绝H0
E.检验结果认为该类型的电子元件的使用寿命确实有显著提高

A.A
B.B
C.C
D.D
E.E

A.（-∞，-z0.10）和（z0.10，+∞）为原假设的拒绝区域
B.（-∞，-z0.05）和（z0.05，+∞）为原假设的拒绝区域
C.（-∞，-t0.10）和（t0.10，+∞）为原假设的拒绝区域
D.（-∞，-t0.05）和（t0.05，+∞）为原假设的拒绝区域
E.若检验统计量的绝对值越大，则原假设越容易被拒绝

A.实测显著性水平P值＜显著性水平α
B.P值＞α
C.Z＜Z0
D.Z＞Z0
E.Z＞Zα/2

A.在显著性α水平下，检验假设H0：μ=μ0；H1：μ≠μ0的假设检验，称为双侧假设检验
B.右侧检验和左侧检验统称为单侧检验
C.在显著性α水平下，检验假设H0：μ≥μ0；H1：μ＜μ0的假设检验，称为左侧检验
D.在显著性α水平下，检验假设H0：μ≥μ0；H1：μ＜μ0的假设检验，称为右侧检验
E.在显著性α水平下，检验假设H0：μ≤μ0；H1：μ＞μ0的假设检验，称为右侧检验

A.原假设为真时被拒绝的概率
B.原假设为真时被接受的概率
C.原假设为伪时被拒绝的概率
D.原假设为伪时被接受的概率

A.z统计量
B.t统计量
C.s统计量
D.m统计量
E.Y统计量

A.H0：π=π0，H1：π≠π0
B.H0：π≥π0，H1：π＜π0
C.H0：π≤π0，H1：π＞π0
D.H0：π≠π0，H1：π=π0
E.H0：π＞π0，H1：π≤π0

A.A
B.B
C.C
D.D
E.E

A.显著性水平提高（α变小），意味着拒绝域缩小
B.显著性水平降低，意味着拒绝域扩大
C.显著性水平提高，意味着拒绝域扩大
D.显著性水平降低，不影响拒绝域的变化
E.显著性水平提高，不影响拒绝域的变化

A.都是两个
B.都是一个
C.可能是一个，也可能是两个
D.只能是正值
E.可能是正值，也可能是负值