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参考答案:在双极集成电路工艺中,采用高阻的外延层可提高集电结的击穿电压,而其低阻的衬底(或埋层)可降低集电极的串联电阻。在MOS集成电路工艺中,采用高阻的外延层可减小pnpn寄生闸流管效应和降低漏电流。
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