优点：
（1）真空度要求不高，甚至不须真空，如热喷覆。
（2）高沉积速率，APCVD可以达到1μm/min。
（3）相对于PVD，化学量论组成或合金的镀膜比较容易达成。
（4）镀膜的成份多样化，包括金属、非金属、氧化物、氮化物、碳化物、半导体、光电材料、聚合物以及钻石薄膜等。
（5）可以在复杂形状的基材镀膜，甚至渗入多孔的陶瓷。
（6）厚度的均匀性良好， LPCVD甚至可同时镀数十芯片。
缺点：
（1）热力学及化学反应机制不易了解或不甚了解。
（2）须在高温度下进行，有些基材不能承受，甚至和镀膜起作用。
（3）反应气体可能具腐蚀性、毒性或爆炸性，处理需格外小心。
（4）反应生成物可能残余在镀膜，成为杂质。
（5）基材的遮蔽很难。

真空泵浦可分：
（1）机械帮浦
（2）扩散泵浦
（3）涡轮泵浦
（4）吸附泵浦
（5）吸着泵浦

（1）真空蒸镀
（2）电镀
（3）化学反应
（4）热处理
（5）物理或机械处理

⑴减少蒸发分子与残余气体分子的碰撞。
⑵抑制蒸发分子与残余气体分子之间的反应。