问答题X 纠错

参考答案:

在Mn和Cr金属中,存在两种排列相反的磁矩,其大小相等,故两种磁矩正好抵消,总的磁矩为0,故显示为反铁磁性,当它们与其它元素的组成合金时,合金中两种排列相反的磁矩可能就会出现大小不等的情况而显示出铁磁性。
由此可知,铁磁性、反铁磁性不是单个原子(离子)的行为,而是固体材料中大量原子(离子)的统计平均行为。

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问答题

由金属传导电子泡利顺磁性的分析过程,说明满带电子的顺磁化率为零。

参考答案:

问答题

当传导电子浓度很小时(如半导体中),为什么在计算其磁化率时可以不考虑泡利原理的限制而直接应用玻尔兹曼统计?在计算磁性离子系统顺磁性时,也采用同样的方法,这是偶然现象吗?在讨论金属传导电子顺磁性时为何要用费米统计?

参考答案:当传导电子浓度很小时(如半导体中),那么可以认为电子填充的各个能级是非简并的,因而电子填充能量为Ei态时服从玻尔兹曼分布...

问答题

论证或举例说明下列断言的对或错。

参考答案:

问答题

硅P-N结的N区施主浓度为1×1015cm-3,τh=1μs;P区受主浓度为6×1017cm-3,τe=5μs;Dh=1.3×10-3m2/s,De=3.5×10-3m2/s,试计算室温下空穴电流与电子电流之比jh/je,饱和电流密度j0以及在正向偏压0.3V时,流过P-N结的电流密度j。

参考答案:

问答题

已知施主浓度为1×1018cm-3,受主浓度为5×1016cm-3,试分别求出锗、硅材料在室温下的接触电势差。

参考答案:

问答题

设空穴的浓度呈线性分布,在3μm内浓度差为1×1015cm-3,迁移率为400cm2/(V·s),试计算室温下的空穴扩散电流密度jh

参考答案:

问答题

在某一N型半导体电子浓度为1×1015cm-3,电子迁移率为1000cm2/(V·s),求其电阻率。

参考答案:

问答题

在一个N型锗样品中,非平衡载流子浓度是1×1013cm-3,空穴寿命为100μs,计算空穴的复合率。

参考答案:

问答题

光照产生的非平衡载流子的寿命为20μs,试求光照突然停止20μs后,非平衡载流子将衰减到原来的百分之几?

参考答案:根据非平衡载流子的寿命定义可知,非平衡载流子的寿命就是非平衡载流子减少到原来的1/e所需要的时间,由此可知当光照突然停止...

问答题

当E-EF分别为1.5kBT,4kBT及10kBT时,分别用费米分布和玻尔兹曼分布计算占据能级各能级的几率。

参考答案:

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