1.优点
1） 能获得全局平坦化。
2） 对于各种各样的硅片表面都能平坦化。
3） 可对多层材料进行平坦化。
4） 减小严重的表面起伏，使层间介质和金属层平坦，可以实现更小的设计图形，更多层的金属互连，提高电路的可靠性、速度和良品率。
5） 解决了铜布线难以刻蚀良好图形的问题。
6） 通过减薄表层材料，可以去掉表面缺陷。
7） CMP是湿法研磨，不使用干法刻蚀中常用的危险气体。
8） CMP可以实现设备自动化、大批量生产、高可靠性和关键参数控制。
2.缺点
1） 影响平坦化质量的工艺因素很多且不易控制。
2） CMP进行平坦化的同时也会引入新的缺陷。
3） 需要配套的设备、材料、工艺控制技术，这是一个需要开发、提高的系统工程。
4） 设备、技术、耗材、维护等十分昂贵。

•建立浓度差
•杂质扩散至合适的结深
•杂质与硅原子成键