单项选择题X 纠错

显影后，被曝光区域的光刻胶被去除，该种光刻胶称为（）。

A.负胶
B.正胶
C.光刻抗蚀剂
D.光阻

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单项选择题

MOS晶体管的源区、漏区及源、漏之间的沟道区域通常称为（）。

A.有源区
B.场区
C.衬底区
D.阱区

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单项选择题

氧化层中掺杂了硼杂质，一般称为（）。

A.PSG
B.BPSG
C.BSG
D.FSG

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单项选择题

如果制作栅氧结构，一般采用的方法是（）。

A.湿氧氧化
B.氢氧合成
C.CVD
D.干氧氧化

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判断题

CMOS电路是通过有源区进行隔离的，属于绝缘介质隔离。

参考答案：错
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判断题

STI技术相比LOCOS工艺，占地面积更小，而且不会产生鸟嘴效应。

参考答案：对
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判断题

光刻时，必须将硅片与掩模版进行对准，不同的掩模版之间也要对准，可以采用仔细观察的方法。

参考答案：错
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判断题

形成接触孔之前，需要先淀积一层PSG或BPSG材料，然后再该层材料上刻蚀出窗口作为接触孔。

参考答案：对
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判断题

CMOS是由PMOS和NMOS构成，制作时可以是P阱结构，还可以是N阱结构，更可以是双阱结构。

参考答案：对
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判断题

MOS管的制作一般经过阱区制作、有源区光刻、栅氧淀积、栅的淀积和光刻、源漏注入、接触孔光刻、金属淀积及反刻、钝化等工艺。

参考答案：对
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判断题

当掩模版上的图形转移到下方薄膜材料上时，必须要考虑到光刻胶的性质（正胶还是负胶）。

参考答案：错
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