问答题X 纠错

采用MOSFET作为nMOS反相器的负载器件有哪些优点？

参考答案：

采用负载电阻会占用大量的芯片面积，而晶体管占用的硅片面积通常比负载电阻小，并且有源负载反相器电路比无源负载反相器有更好的整体性能。

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问答题

为什么MOS晶体管会存在饱和区和非饱和区之分（不考虑沟道调制效应）？

参考答案：晶体管开通后，其漏源电流随着漏源电压而变化。当漏源电压很小时，随着漏源电压的值的增大，沟道内电场强度增加，电流随之增大，...
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什么是沟道长度调制效应，对器件有什么影响？

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MOS晶体管的短沟道效应是指什么，其对晶体管有什么影响？

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参考答案：当电路直接并联后，所有高电平的输出电流全部灌入输出低电平的管子，可能会使输出低电平的管子烧坏。并会使数出低电平抬高，容易...
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四管与非门中，如果高电平过低，低电平过高，分析其原因，如与改善方法，请说出你的想法。

参考答案：输出高电平偏低：VCE3和R5上的电压过大，可以通过减小VCE3和IC3来实现。输出高电平偏高：VCE5上的电压偏高，可...
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相对于五管与非门六管与非门的结构在哪些部分作了改善，分析改进部分是如何工作的？

参考答案：六管单元用有源泄放回路RB-RC-Q6代替了R3；由于RB的存在，使Q6比Q5晚导通，所以Q2发射基的电流全部流入Q5的...
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两管与非门有哪些缺点，四管及五管与非门的结构相对于两管与非门在哪些地方做了改善，并分析改善部分是如何工作的。四管和五管与非门对静态和动态有哪些方面的改进。

参考答案：两管与非门：输出高电平低，瞬时特性差。四管与非门：输出采用图腾柱结构Q3--D，由于D是多子器件，他会使Tplh明显下降...
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