两管与非门：输出高电平低，瞬时特性差。
四管与非门：输出采用图腾柱结构Q3--D，由于D是多子器件，他会使Tplh明显下降。D还起到了点评位移作用，提高了输出电平。
五管与非门：达林顿结构作为输出级，Q4也起到点评位移作用，达林顿电流增益大，输出电阻小，提高电路速度和高电平负载能力。
四管和五管在瞬态中都是通过大电流减少Tplh.静态中提高了负载能力和输出电平。

-输出电平的最大变化区间，VL=VOH-VOL。

关门电平VILmax-为保证输出为额定高电平时的最大输入低电平（VOFF.。

开门电平VIHmin-为保证输出为额定低电平时的最小输入高电平（VON）。

指电路的输出电压VO随输入电压Vi变化而变化的性质或关系（可用曲线表示，与晶体管电压传输特性相似）。

长时间较的电流流过铝条，会产生铝的电迁移的现象，结果是连线的一端生晶须，另一端则产生空洞，严重时甚至会断裂。

反偏PN结电容和MOS电容器。

双极性集成电路中最常用的电阻器是基区扩散电阻；MOS集成电路中常用的电阻有多晶硅电阻和用MOS管形成的电阻。