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填空题

氧和碳在硅晶体中都呈()分布。

参考答案:螺旋纹状

填空题

一般X射线大致具有的性质(),荧光作用,电离作用,穿透能力强,X射线的折射率近似等于1,衍射作用。

参考答案:感光作用

问答题

解释离子束扩展和空间电荷中和。

参考答案:由于电荷之间的相互排斥,所以一束仅包括正电荷的离子束本身是不稳定的,容易造成离子束的膨胀即离子束的直径在行进过程中不断的...

问答题

离子源的目的是什么?最常用的离子源是什么?

参考答案:

目的:使待注入的物质以带电粒子束的形式存在
最常用的源:Freeman离子源和Bernas离子源

问答题

例举离子注入设备的5个主要子系统。

参考答案:(1)离子源:待注入物质必须以带电粒子束或离子束的形式存在。注入离子在离子源中产生(2)引出电极(吸极)和离子分析器:传...

问答题

例举离子注入工艺和扩散工艺相比的优点和缺点。

参考答案:离子注入的优点:(1)精确控制杂质含量和分布(2)很好的杂质均匀性(3)对杂质穿透深度有很好的控制(4)产生单一离子束(...

问答题

例举并解释硅中固态杂质扩散的三个步骤。

参考答案:硅中固态杂质扩散的三个步骤:(1)预淀积:表面的杂质浓度浓度最高,并随着深度的加大而减小,从而形成梯度。这种梯度使杂质剖...

问答题

什么是结深?

参考答案:

硅片中p型杂质和n型杂质相遇的深度被称为结深。

问答题

叙述氮化硅的湿法化学去除工艺。

参考答案:去除氮化硅使用热磷酸进行湿法化学剥离掉的。这种酸槽一般始终维持在160°C左右并对露出的氧化硅具有所希望的高选择...

问答题

哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅?描述刻蚀多晶硅的三个步骤。

参考答案:多晶硅等离子刻蚀用的化学气体通常是氯气、溴气或二者混合气体。刻蚀多晶硅的三步工艺:1.预刻蚀,用于去除自然氧化层、硬的掩...
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