入射光照射到光电探测器后，光电探测器输出上升到稳定值所需要的时间。

检测器对各种波长光连续辐射量的反应程度.

探测器在波长为λ的单色光照射下，输出电压或电流与入射的单色光功率之比.

光电探测器件输出电流与入射光功率之比

光电探测器件输出电压与入射光功率之比

由两种材料制成的结点出现稳差而在两结点间产生电动势，回路中产生电流.

材料受光照射后，光子能量与晶格相互作用，振动加剧，温度升高，材料的性质发生变化.

将P型和N型半导体采用特殊工艺制造成半导体半导体内有一物理界面，界面附近形成一个极薄的特殊区域，称为PN结

只有在入射光子能量大于材料的禁带宽度时，才能发生本征激发

由于光子作用使电子由价带跃迁到导带，

光注入；其它方法：电注入、高能粒子辐照等