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大马士革工艺的名字来源于几千年前叙利亚大马士革的一位艺术家发明的一种技术。
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多晶硅栅的宽度通常是整个硅片上最关键的CD线宽。
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侧墙用来环绕多晶硅栅，防止更大剂量的源漏注入过于接近沟道以致可能发生源漏穿通。
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集成电路是由Kilby和Noyce两人于1959年分别发明，并共享集成电路的专利。
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世界上第一块集成电路是用硅半导体材料作为衬底制造的。
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硅片制造厂可分为六个独立的区域，各个区域的照明都采用同一种光源以达到标准化。
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人员持续不断地进出净化间，是净化间沾污的最大来源。
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集成电路制造就是在硅片上执行一系列复杂的化学或者物理操作。简而言之，这些操作可以分为四大基本类：薄膜制作、刻印、刻蚀和掺杂。
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CD是指硅片上的最小特征尺寸。
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CMOS反相器电路的功效产生于输入信号为零的转换器。
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离子注入中高能量意味着注入硅片更深处，低能量则用于超浅结注入。
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