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离子注入是唯一能够精确控制掺杂的手段。
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硼是VA族元素，其掺杂形成的半导体是P型半导体。
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P是VA族元素，其掺杂形成的半导体是P型半导体。
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离子注入中静电扫描的主要缺点是离子束不能垂直轰击硅片，会导致光刻材料的阴影效应，阻碍离子束的注入。
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离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格，高温退火过程能使硅片中的损伤部分或绝大部分得到消除，掺入的杂质也能得到一定比例的电激活。
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硅中的杂质只有一部分被真正激活，并提供用于导电的电子或空穴（大约3%~5%），大多数杂质仍然处在间隙位置，没有被电学激活。
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对
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判断题
扩散运动是各向同性的。
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扩散率越大，杂质在硅片中的移动速度就越大。
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掺杂的杂质和沾污的杂质是一样的效果。
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CD越小，源漏结的掺杂区越深。
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