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判断题

硅中的杂质只有一部分被真正激活,并提供用于导电的电子或空穴(大约3%~5%),大多数杂质仍然处在间隙位置,没有被电学激活。

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扩散运动是各向同性的。

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扩散率越大,杂质在硅片中的移动速度就越大。

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掺杂的杂质和沾污的杂质是一样的效果。

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CD越小,源漏结的掺杂区越深。

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纯净的半导体是一种有用的半导体。

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在硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤:预淀积、推进和激活。

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晶体管的源漏区的掺杂采用自对准技术,一次掺杂成功。

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在晶片制造中,有两种方法可以向硅片中引入杂质元素,即热扩散和离子注入。

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高密度等离子体刻蚀机是为亚0.25微米图形尺寸而开发的最重要的干法刻蚀系统。

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