判断题
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热扩散中的横向扩散通常是纵向结深的75%~85%。先进的MOS电路不希望发生横向扩散,因为它会导致沟道长度的减小,影响器件的集成度和性能。
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对
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判断题
硅中的杂质只有一部分被真正激活,并提供用于导电的电子或空穴(大约3%~5%),大多数杂质仍然处在间隙位置,没有被电学激活。
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对
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扩散运动是各向同性的。
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扩散率越大,杂质在硅片中的移动速度就越大。
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对
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掺杂的杂质和沾污的杂质是一样的效果。
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错
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对
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纯净的半导体是一种有用的半导体。
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在硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤:预淀积、推进和激活。
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对
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参考答案:
对
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参考答案:
对
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高密度等离子体刻蚀机是为亚0.25微米图形尺寸而开发的最重要的干法刻蚀系统。
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对
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