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扩散运动是各向同性的。
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扩散率越大，杂质在硅片中的移动速度就越大。
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对
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掺杂的杂质和沾污的杂质是一样的效果。
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CD越小，源漏结的掺杂区越深。
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纯净的半导体是一种有用的半导体。
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错
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在硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤：预淀积、推进和激活。
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对
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晶体管的源漏区的掺杂采用自对准技术，一次掺杂成功。
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对
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在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子注入。
参考答案：
对
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高密度等离子体刻蚀机是为亚0.25微米图形尺寸而开发的最重要的干法刻蚀系统。
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对
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与干法刻蚀相比，湿法腐蚀的好处在于对下层材料具有高的选择比，对器件不会带来等离子体损伤，并且设备简单。
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对
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判断题
在刻蚀中用到大量的化学气体，通常用氟刻蚀二氧化硅。
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对
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