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在半导体生产中，湿法腐蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法。
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刻蚀的高选择比意味着只刻除想要刻去的那一层材料。
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刻蚀速率通常正比于刻蚀剂的浓度。
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对于大马士革工艺，重点是在于金属的刻蚀而不是介质的刻蚀。
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不正确的刻蚀将导致硅片报废，给硅片制造公司带来损失。
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干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法，湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下刻蚀器件，例如大于3微米。
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各向异性的刻蚀剖面是在所有方向上（横向和垂直方向）以相同的刻蚀速率进行刻蚀。
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光刻是集成电路制造工艺发展的驱动力。
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投影掩膜版上的图形是由金属钽所形成的。
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有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。
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光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。
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对
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