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不正确的刻蚀将导致硅片报废,给硅片制造公司带来损失。
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对
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干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法,湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下刻蚀器件,例如大于3微米。
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对
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各向异性的刻蚀剖面是在所有方向上(横向和垂直方向)以相同的刻蚀速率进行刻蚀。
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光刻是集成电路制造工艺发展的驱动力。
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对
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投影掩膜版上的图形是由金属钽所形成的。
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错
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有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。
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对
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光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。
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对
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芯片上的物理尺寸特征被称为关键尺寸,即CD。
参考答案:
对
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对正性光刻来说,剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。
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对
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曝光后烘焙,简称后烘,其对传统I线光刻胶是必需的。
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对
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光刻区使用黄色荧光灯照明的原因是,光刻胶只对特定波长的光线敏感,例如深紫外线和白光,而对黄光不敏感。
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对
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