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投影掩膜版上的图形是由金属钽所形成的。
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有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。
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光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。
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对正性光刻来说，剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。
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曝光后烘焙，简称后烘，其对传统I线光刻胶是必需的。
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步进光刻机的三个基本目标是对准聚焦、曝光和合格产量。
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最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。
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旋涂膜层是一种传统的平坦化技术，在0.35μm及以上器件的制造中常普遍应用于平坦化和填充缝隙。
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