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曝光后烘焙，简称后烘，其对传统I线光刻胶是必需的。
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对
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光刻区使用黄色荧光灯照明的原因是，光刻胶只对特定波长的光线敏感，例如深紫外线和白光，而对黄光不敏感。
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对
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步进光刻机的三个基本目标是对准聚焦、曝光和合格产量。
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错
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最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。
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错
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没有CMP，就不可能生产甚大规模集成电路芯片。
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错
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旋涂膜层是一种传统的平坦化技术，在0.35μm及以上器件的制造中常普遍应用于平坦化和填充缝隙。
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对
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20世纪90年代初期使用的第一台CMP设备是用样片估计抛光时间来进行终点检测的。
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对
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CMP带来的一个显著的质量问题是表面微擦痕。小而难以发现的微擦痕导致淀积的金属中存在隐藏区，可能引起同一层金属之间的断路。
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对
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在CMP设备中被广泛采用的终点检测方法是光学干涉终点检测。
参考答案：
对
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电机电流终点检测不适合用作层间介质的化学机械平坦化。
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对
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反刻是一种传统的平坦化技术，它能够实现全局平坦化。
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错
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