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在CMP设备中被广泛采用的终点检测方法是光学干涉终点检测。
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电机电流终点检测不适合用作层间介质的化学机械平坦化。
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反刻是一种传统的平坦化技术，它能够实现全局平坦化。
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对
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化学机械平坦化，简称CMP，它是一种表面全局平坦化技术。
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对
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表面起伏的硅片进行平坦化处理，主要采用将低处填平的方法。
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溅射是个化学过程，而非物理过程。
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错
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错
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对
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错
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多层金属化指用来连接硅片上高密度堆积器件的那些金属层。
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错
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