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大马士革工艺来源于一种类似精制的镶嵌首饰或艺术品的图案。
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接触是指硅芯片内的器件与第一层金属层之间在硅表面的连接。
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对
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LPCVD紧随PECVD的发展而发展。由660℃降为450℃，采用增强的等离子体，增加淀积能量，即低压和低温。
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与APCVD相比，LPCVD有更低的成本、更高的产量以及更好的膜性能，因此应用更为广泛。
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APCVD反应器中的硅片通常是平放在一个平面上。
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外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，分为同质外延和异质外延两大类。
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对
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在半导体产业界第一种类型的CVD是APCVD。
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对
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外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，即外延层。
参考答案：
对
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LPCVD反应是受气体质量传输速度限制的。
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对
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高阻衬底材料上生长低阻外延层的工艺称为正向外延。
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错
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CVD是利用某种物理过程，例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移，即原子或分子由源转移到衬底（硅）表面上，并淀积成薄膜。
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错
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