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用于亚0.25μm工艺的选择性氧化的主要技术是浅槽隔离。
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对
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传统的0.25μm工艺以上的器件隔离方法是硅的局部氧化。
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对
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判断题
氧化物有两个生长阶段来描述,分别是线性阶段和抛物线阶段。
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对
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虽然直至今日我们仍普遍采用扩散区一词,但是硅片制造中已不再用杂质扩散来制作pn结,取而代之的是离子注入。
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栅氧一般通过热生长获得。
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硅上的自然氧化层并不是一种必需的氧化材料,在随后的工艺中要清洗去除。
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对
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二氧化硅是一种介质材料,不导电。
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对
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暴露在高温的氧气氛围中,硅片上能生长出氧化硅。生长一词表示这个过程实际是消耗了硅片上的硅材料。
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对
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当硅片暴露在空气中时,会立刻生成一层无定形的氧化硅薄膜。
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对
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成品率是指在一片晶圆上所有芯片中好芯片所占的百分比。
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85%以上的单晶硅是采用CZ直拉法生长出来的。
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