判断题
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虽然直至今日我们仍普遍采用扩散区一词,但是硅片制造中已不再用杂质扩散来制作pn结,取而代之的是离子注入。
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对
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栅氧一般通过热生长获得。
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硅上的自然氧化层并不是一种必需的氧化材料,在随后的工艺中要清洗去除。
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对
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对
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暴露在高温的氧气氛围中,硅片上能生长出氧化硅。生长一词表示这个过程实际是消耗了硅片上的硅材料。
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对
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对
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对
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85%以上的单晶硅是采用CZ直拉法生长出来的。
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对
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对
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CZ直拉法是按照在20世纪90年代初期它的发明者的名字来命名的。
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对
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判断题
西门子工艺生产的硅没有按照希望的晶体顺序排列原子。
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对
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