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判断题

栅氧一般通过热生长获得。

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硅上的自然氧化层并不是一种必需的氧化材料,在随后的工艺中要清洗去除。

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二氧化硅是一种介质材料,不导电。

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暴露在高温的氧气氛围中,硅片上能生长出氧化硅。生长一词表示这个过程实际是消耗了硅片上的硅材料。

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当硅片暴露在空气中时,会立刻生成一层无定形的氧化硅薄膜。

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成品率是指在一片晶圆上所有芯片中好芯片所占的百分比。

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85%以上的单晶硅是采用CZ直拉法生长出来的。

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区熔法是20世纪50年代发展起来的,能生产到目前为止最纯的硅单晶,含氧量非常少。

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CZ直拉法是按照在20世纪90年代初期它的发明者的名字来命名的。

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西门子工艺生产的硅没有按照希望的晶体顺序排列原子。

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