集成电路制造中掺杂类工艺有（）和（）两种。

填空题X 纠错

参考答案：热扩散；离子注入

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填空题

扩散是物质的一个基本性质，描述了（）的情况。其发生有两个必要条件（）和（）。

参考答案：一种物质在另一种物质中的运动；一种材料的浓度必须高于另一种材料的浓度；系统内必须有足够的能量使高浓度的材料进入或通过另一...

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填空题

杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（）扩散和（）扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。

参考答案：间隙式扩散机制；替代式扩散机制；激活杂质后

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填空题

扩散是物质的一个基本性质，分为三种形态（）扩散、（）扩散和（）扩散。

参考答案：气相；液相；固相

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填空题

刻蚀剖面指的是（），有两种基本的刻蚀剖面（）刻蚀剖面和（）刻蚀剖面。

参考答案：被刻蚀图形的侧壁形状；各向同性；各向异性

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填空题

刻蚀是用（）或（）有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是（）。

参考答案：化学方法；物理方法；在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形

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填空题

随着铜布线中大马士革工艺的引入，金属化工艺变成刻蚀（）以形成一个凹槽，然后淀积（）来覆盖其上的图形，再利用（）把铜平坦化至ILD的高度。

参考答案：介质；金属；CMP

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填空题

在干法刻蚀中发生刻蚀反应的三种方法是（）、（）和（）。

参考答案：化学作用；物理作用；化学作用与物理作用混合

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填空题

光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。

参考答案：正性光刻；负性光刻胶；正性光刻胶

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填空题

CMP是一种表面（）的技术，它通过硅片和一个抛光头之间的相对运动来平坦化硅片表面，在硅片和抛光头之间有（），并同时施加（）。

参考答案：全局平坦化；磨料；压力

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填空题

硅片平坦化的四种类型分别是（）、部分平坦化、（）和（）。

参考答案：平滑；局部平坦化；全局平坦化

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