填空题X 纠错

在半导体制造业中，最早的互连金属是（），在硅片制造业中最普通的互连金属是（），即将取代它的金属材料是（）。

参考答案：铝；铝；铜
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填空题

对芯片互连的金属和金属合金来说，它所必备一些要求是（）、高黏附性、（）、（）、可靠性、抗腐蚀性、应力等。

参考答案：导电率；淀积；平坦化
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填空题

如果淀积的膜在台阶上过度地变薄，就容易导致高的（）、（）或者在器件中产生不希望的（）。

参考答案：膜应力；电短路；诱生电荷
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填空题

在外延工艺中，如果膜和衬底材料（），例如硅衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（）；反之，膜和衬底材料不一致的情况，例如硅衬底上长氧化铝，则称为（）。

参考答案：相同；同质外延；异质外延
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填空题

缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是（）、（）、高密度等离子体化学气相淀积和（）。

参考答案：等离子体增强化学气相淀积；低压化学气相淀积；常压化学气相淀积
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填空题

淀积膜的过程有三个不同的阶段。第一步是（），第二步是（），第三步是（）。

参考答案：晶核形成；聚焦成束；汇聚成膜
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填空题

目前常用的CVD系统有（）、（）和（）。

参考答案：APCVD；LPCVD；PECVD
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填空题

立式炉的工艺腔或炉管是对硅片加热的场所，它由垂直的（）、（）和（）组成。

参考答案：石英工艺腔；加热器；石英舟
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填空题

硅片上的氧化物主要通过（）和（）的方法产生，由于硅片表面非常平整，使得产生的氧化物主要为层状结构，所以又称为（）。

参考答案：热生长；淀积；薄膜
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填空题

列出热氧化物在硅片制造的4种用途（）、（）、场氧化层和（）。

参考答案：掺杂阻挡；表面钝化；金属层间介质
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填空题

选择性氧化常见的有（）和（），其英语缩略语分别为LOCOS和（）。

参考答案：局部氧化；浅槽隔离；STI
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