填空题
X 纠错
缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是（）、（）、高密度等离子体化学气相淀积和（）。
参考答案：
等离子体增强化学气相淀积；低压化学气相淀积；常压化学气相淀积
进入题库练习
查答案就用赞题库小程序
还有拍照搜题 语音搜题 快来试试吧
无需下载 立即使用
你可能喜欢
填空题
淀积膜的过程有三个不同的阶段。第一步是（），第二步是（），第三步是（）。
参考答案：
晶核形成；聚焦成束；汇聚成膜
点击查看答案
进入题库练习
填空题
目前常用的CVD系统有（）、（）和（）。
参考答案：
APCVD；LPCVD；PECVD
点击查看答案
进入题库练习
填空题
立式炉的工艺腔或炉管是对硅片加热的场所，它由垂直的（）、（）和（）组成。
参考答案：
石英工艺腔；加热器；石英舟
点击查看答案
进入题库练习
填空题
硅片上的氧化物主要通过（）和（）的方法产生，由于硅片表面非常平整，使得产生的氧化物主要为层状结构，所以又称为（）。
参考答案：
热生长；淀积；薄膜
点击查看答案
进入题库练习
填空题
列出热氧化物在硅片制造的4种用途（）、（）、场氧化层和（）。
参考答案：
掺杂阻挡；表面钝化；金属层间介质
点击查看答案
进入题库练习
填空题
选择性氧化常见的有（）和（），其英语缩略语分别为LOCOS和（）。
参考答案：
局部氧化；浅槽隔离；STI
点击查看答案
进入题库练习
填空题
用于热工艺的立式炉的主要控制系统分为五部分（）、（）、气体分配系统、尾气系统和（）。
参考答案：
工艺腔；硅片传输系统；温控系统
点击查看答案
进入题库练习
填空题
根据氧化剂的不同，热氧化可分为（）、（）和（）。
参考答案：
干氧氧化；湿氧氧化；水汽氧化
点击查看答案
进入题库练习
填空题
热氧化工艺的基本设备有三种（）、（）和（）。
参考答案：
卧式炉；立式炉；快速热处理炉
点击查看答案
进入题库练习
填空题
制备半导体级硅的过程：1、（）；2、（）；3、（）。
参考答案：
制备工业硅；生长硅单晶；提纯
点击查看答案
进入题库练习
赞题库
赞题库-搜题找答案
（已有500万+用户使用）
历年真题
章节练习
每日一练
高频考题
错题收藏
在线模考
提分密卷
模拟试题
无需下载 立即使用
手机版
电脑版
版权所有©考试资料网(ppkao.com)All Rights Reserved
