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填空题

硅片上的氧化物主要通过()和()的方法产生,由于硅片表面非常平整,使得产生的氧化物主要为层状结构,所以又称为()。

参考答案:热生长;淀积;薄膜

填空题

列出热氧化物在硅片制造的4种用途()、()、场氧化层和()。

参考答案:掺杂阻挡;表面钝化;金属层间介质

填空题

选择性氧化常见的有()和(),其英语缩略语分别为LOCOS和()。

参考答案:局部氧化;浅槽隔离;STI

填空题

用于热工艺的立式炉的主要控制系统分为五部分()、()、气体分配系统、尾气系统和()。

参考答案:工艺腔;硅片传输系统;温控系统

填空题

根据氧化剂的不同,热氧化可分为()、()和()。

参考答案:干氧氧化;湿氧氧化;水汽氧化

填空题

热氧化工艺的基本设备有三种()、()和()。

参考答案:卧式炉;立式炉;快速热处理炉

填空题

制备半导体级硅的过程:1、();2、();3、()。

参考答案:制备工业硅;生长硅单晶;提纯

填空题

晶圆制备中的整型处理包括()、()和()。

参考答案:去掉两端;径向研磨;硅片定位边和定位槽

填空题

影响CZ直拉法的两个主要参数是()和()。

参考答案:拉伸速率;晶体旋转速率

填空题

CZ直拉法的目的是()。

参考答案:实现均匀掺杂的同时并且复制仔晶的结构,得到合适的硅锭直径并且限制杂质引入到硅中
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