在半导体中加入微量的其他元素的原子，可以改变半导体的导电能力和导电类型。

当MOSFET进入饱和区时有效沟道长度随漏源电压的变化而变化，从而漏电流略有增加。

沟道长度减小到一定程度后出现的一系列二级物理效应，如阈值电压的变化。