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判断题

对于一个PN结,如果反偏电压降低,耗尽区宽度将减小。

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标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。

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从电路原理受控源的角度本质上看,工作在饱和区的MOS晶体管本质等效为电压控制电流源。

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常用的IC设计方法有全定制设计方法、标准单元设计方法、门阵列设计方法和可编程逻辑电路设计方法等。对于性能要求很高或批量很大的产品,如存储器、微处理器等,一般采用可编程逻辑电路设计方法。

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微机电系统的制造工艺与IC制造工艺是完全一样的。

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SOC指的是系统芯片。

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常用来制造半导体发光二极管的材料是直接跃迁晶体材料。

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双极型集成电路工艺是用来制造CMOS集成电路。

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在集成电路制造工艺步骤中,光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。

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EDA是计算机辅助测试的英文简称。

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