A.氧化
B.离子注入
C.光刻
D.抛光

A.决定特征尺寸的关键工艺
B.光刻与芯片的价格和性能密切相关
C.光刻工艺过程复杂
D.复印图像和化学作用相结合的综合性技术

A.选择合适的掩蔽膜
B.在氧化前，将窗口处的硅腐蚀掉深度，再进行局部氧化
C.退火
D.高压氧化工艺

A.制备硅烷
B.硅烷热分解
C.精馏
D.固体吸附法

A.电镀
B.CVD
C.MBE
D.PVD

A.有效栅宽变窄
B.电流减少
C.电容增加
D.电阻增大

A.印刷多层法
B.生板叠层法
C.磁控溅射法
D.厚膜多层法

A.工艺实现存在问题
B.源漏耗尽区宽度不可能按比例缩小
C.阈值电压不可能缩的太小
D.电源电压标准的改变会带来很大的不便

A.95度
B.90度
C.80度
D.75度

A.190度
B.157度
C.180度
D.175度