A、P沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管
B、增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管
C、N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管
D、N沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管

A、P沟道结型场效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管
B、P沟道结型场效应晶体管和N沟道增强型场效应晶体管
C、N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管
D、N沟道结型场效应晶体管和P沟道型绝缘栅场效应晶体管

A、只能通高频信号
B、零点漂移
C、只能通直流信号
D、只能通交流信号

A、直流信号和交流信号
B、直流信号
C、直流信号和变化缓慢的交流信号
D、交流信号

A、直流信号和交流信号
B、直流信号
C、直流信号和变化缓慢的交流信号
D、交流信号

A、α=1+β/1-β
B、α=β/1+β
C、α=1-β/1+β
D、α=1+β/β

A、0.7V；0.3V
B、0.2V；0.3V
C、0.3V；0.7V
D、0.7V；0.6V

A、P型，锗材料
B、N型，锗材料
C、N型，硅材料
D、P型，硅材料

A、低频小功率管
B、高频大功率管
C、高频小功率管
D、低频大功率管

A、PNP型，锗材料
B、NPN型，锗材料
C、PNP型，硅材料
D、NPN型，硅材料

A、130Ω，±10%；
B、1300Ω，±1%；
C、1300Ω，±10%；
D、130Ω，±1%