平均原子序数高，禁带宽度大，而且这些化合物半导体材料净杂质浓度较低，可以使灵敏区增大

不能，因为要在低温下工作装液氮的杜瓦瓶的尺寸和重量都远大于探测器本身，因此移动不方便。

半导体探测器受强辐射照射一段时间以后性能会逐渐变坏，这种效应称为半导体探测器的辐射损伤效应，简称辐射损伤或辐照效应。

（1）空穴-电子对数的统计涨落
（2）散射效应
（3）探测器的噪声
（4）空气和窗吸收的影响

P-N结型探测器、锂漂移型探测器、高纯锗探测器、化合物半导体探测器以及其它类型半导体探测器。