判断题
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I
ES
代表发射结反偏、集电结零偏时的发射极电流。
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对
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MOSFET的沟道夹断总是先于速度饱和发生。
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对
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错
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对
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对
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参考答案:
对
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反向偏置饱和电流可看成是由中性区内少数载流子的产生而导致的。
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对
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