判断题
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MOSFET的沟道夹断总是先于速度饱和发生。
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判断题
当硅表面处的少子浓度达到或大于表面多子浓度时，称表面发生了强反型。
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判断题
一个P沟道MOSFET的阈值电压大于零，则该器件是增强型器件。
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判断题
从发射区注入基区的多子形成的电流与总的发射极电流之比，称为注入效率。
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判断题
由于平面晶体管的基区宽度容易做得很小，加上基区中存在加速场，因此平面晶体管的β*与1非常接近。
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判断题
采用方块电阻来表示双极型晶体管，无论是均匀基区晶体管还是缓变基区晶体管，其表达式都是一样的。
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判断题
输出端对高频小信号短路（即v
cb
=0，但V
CB
＜0）条件下的i
c
与i
e
之比称为共基极高频小信号短路电流放大系数，记为α
ω
。
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判断题
随着频率的不断提高，晶体管的电流放大能力将会不断降低甚至丧失。
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对
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判断题
增大V
A
的措施是增大基区宽度、减小势垒区宽度。
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判断题
防止基区穿通的措施是提高W
B
与N
B
。
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判断题
在异质结双极型晶体管中，通常将发射结作成异质结，即用宽禁带材料制作发射区，用窄禁带材料制作基区。
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