A.能量
B.温度
C.剂量
D.质量

A.30~60分钟
B.10~20分钟
C.60~90分钟
D.100~120分钟

A.最低掺杂剂量
B.临界剂量
C.损伤剂量
D.掺杂剂量

A.Cu
B.P
C.Ag
D.Au

A.有效栅宽变窄
B.电流减少
C.电容增加
D.电阻增大

A.选择合适的掩蔽膜
B.在氧化前，将窗口处的硅腐蚀掉深度，再进行局部氧化
C.退火
D.高压氧化工艺

A.95度
B.90度
C.80度
D.75度

A.30nm
B.10nm
C.20nm
D.25nm

A.金属离
B.微粒
C.纯度
D.浓度

A.化学物质
B.金属离子
C.融解的氧气
D.细菌

A.注氧隔离法
B.智能剥离法
C.键合再减薄技术
D.以上都是