查答案就用赞题库小程序 还有拍照搜题 语音搜题 快来试试吧
无需下载 立即使用

你可能喜欢

单项选择题

A. 有选择地形成被刻蚀图形的侧壁形状
B. 在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形
C. 变成刻蚀介质以形成一个凹槽
D. 在大于3微米的情况下,混合发生化学作用与物理作用

多项选择题

A.高电阻率;
B.高化学稳定性;
C.低介电常数;
D.高介电强度。

判断题

侧墙用来环绕多晶硅栅,防止更大剂量的源漏注入过于接近沟道以致可能发生源漏穿通。

参考答案:

判断题

离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度,因而在几乎所有应用中都优于扩散。

参考答案:

判断题

热扩散中的横向扩散通常是纵向结深的75%~85%。先进的MOS电路不希望发生横向扩散,因为它会导致沟道长度的减小,影响器件的集成度和性能。

参考答案:

判断题

在各向同性刻蚀时,薄膜的厚度应该大致大于或等于所要求分辨率的三分之一。如果图形所要求的分辨率远小于薄膜厚度,则必须采用各向异性刻蚀。

参考答案:
赞题库

赞题库-搜题找答案

(已有500万+用户使用)


  • 历年真题

  • 章节练习

  • 每日一练

  • 高频考题

  • 错题收藏

  • 在线模考

  • 提分密卷

  • 模拟试题

无需下载 立即使用

版权所有©考试资料网(ppkao.com)All Rights Reserved