个投影曝光系统采用ArF光源，数值孔径为0.6，设k1=0.6，n=0.5，...

问答题X 纠错

个投影曝光系统采用ArF光源，数值孔径为0.6，设k1=0.6，n=0.5，计算其理论分辨率和焦深。

参考答案：分辨率：
焦深：

进入题库练习

查答案就用赞题库小程序还有拍照搜题语音搜题快来试试吧

无需下载立即使用

你可能喜欢

问答题

在光刻中，能够在增加分辨率的同时增加聚焦深度吗？为什么？

参考答案：不能！聚焦深度：在保持图形聚焦的前提下，沿着光路方向晶圆片移动的距离是聚焦深度——，NA为数值孔...

点击查看答案进入题库练习

问答题

根据曝光方式的不同，光学光刻机可以分成几类？各有什么优缺点？

参考答案：根据曝光方式不同光学光刻机主要分为三种：接触式，接近式，投影式。接触式：接触式光刻机是最简单的光刻机，曝光时，掩模压在涂...

点击查看答案进入题库练习

问答题

在干法刻蚀的终点检测方法中，光学放射频谱分析法最常见，简述其工作原理和优缺点。

参考答案：光学放射频谱分析是利用检测等离子体中某种波长的光线强度变化来达到终点检测的目的。光强的变化反映了等离子体中原子或分子浓度...

点击查看答案进入题库练习

问答题

采用CF₄作为气体源对SiO₂进行刻蚀，在进气中分别加入O₂或H₂对刻蚀速率有什么影响？随着O₂或H₂进气量的增加，对Si和SiO₂刻蚀选择性怎样变化？为什么？

参考答案：加入少量的氧气能够提高Si和SiO2的刻蚀速率。加入少量的氢气可以导致Si和SiO2的刻蚀速率减慢。原理：氧气与碳原子反...

点击查看答案进入题库练习

问答题

根据原理分类，干法刻蚀分成几种？各有什么特点？

参考答案：干法刻蚀是采用等离子体进行刻蚀的技术，根据原理分为溅射与离子铣（物理）、等离子刻蚀（化学）、反应离子刻蚀（物理+化学）。...

点击查看答案进入题库练习

问答题

简述BOE（或BHF）刻蚀SiO₂的原理。

参考答案：二氧化硅腐蚀最常见的湿法腐蚀工艺之一是在稀释的HF溶剂中进行的SiO2湿法腐蚀法。常用腐蚀液配比是6：1，10：1，50...

点击查看答案进入题库练习

问答题

射频放电与直流放电相比有何优点？

参考答案：直流放电中，电荷在表面的积聚会使电场减小，直到等离子体消失。在射频电场中，因为电场周期性地改变方向，带电粒子不容易到达电...

点击查看答案进入题库练习

问答题

下图为直流等离子放电的I-V曲线，请分别写出a-g各段的名称。可用作半导体制造工艺中离子轰击的是其中哪一段？试解释其工作原理。

参考答案：ab段为无光放电区；bc段为汤生放电；c点为放电的着火点，cd段为前期辉光放电；de段为正常辉光放电区ef段为反常辉光放...

点击查看答案进入题库练习

问答题

简述几种典型真空泵的工作原理。

参考答案：几种典型的真空泵结构：①活塞式机械泵；②旋片式机械泵；③增压器——罗茨泵；④油扩散泵；⑤涡轮分子...

点击查看答案进入题库练习

问答题

什么是扩散效应？什么是自掺杂效应？这两个效应使得衬底/外延界面杂质分布有怎样的变化？

参考答案：扩散效应是指衬底中的杂质与外延层中的杂质，在外延生长时互相扩散，引起衬底与外延层界面附近杂质浓度的缓慢变化。扩散效应对界...

点击查看答案进入题库练习

赞题库

赞题库-搜题找答案

（已有500万+用户使用）

历年真题
章节练习
每日一练
高频考题
错题收藏
在线模考
提分密卷
模拟试题

无需下载立即使用

手机版电脑版