A、原子束
B、分子束
C、中子束
D、离子束

A.能量
B.剂量

A.能量
B.剂量

A.二极管和三极管
B.电力电子器件
C.大规模集成电路
D.超大规模集成电路

A.衬底制备
B.原位HCl腐蚀
C.生长温度，生长压力，生长速度
D.尾气的处理

A.位错就是由弹性形变造成的
B.位错就是由重力造成的
C.位错就是由范性形变造成的
D.以上答案都不对

A、单基极条图形
B、双基极条图形
C、基极和集电极引线孔都是马蹄形结构
D、梳状结构

A、盐酸
B、硫酸
C、硝酸
D、氢氟酸

A、逻辑设计
B、物理设计
C、电路设计
D、系统设计

A.金属、石墨、人体、大地
B.橡胶、塑料、玻璃、云母、陶瓷
C.硅、锗、砷化镓、磷化铟
D.各种酸、碱、盐的水溶液

A.硅中掺有元素杂质磷（P）、砷（As）
B.硅中掺有元素杂质硼B.、铝（Al）
C.砷化镓掺有元素杂质硅（Si）、碲（TE）
D.砷化镓中掺元素杂质锌、镉、镁