问答题X 纠错
沟道长度的缩短增加了源漏穿通的可能性,将引起不需要的漏电流,所以需要采用LDD工艺。轻掺杂漏注入使砷和BF2这些较大质量的掺杂材料使硅片的上表面成为非晶态。大质量材料和表面非晶态的结合有助于维持浅结,从而减少源漏间的沟道漏电流效应。
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