1、真空状态下，膜料的熔点温度和蒸发温度要比在大气状态下低得多。对高熔点的氧化物膜料，在真空状态下其熔点要低得多。也就容易到蒸发温度而不需太高的能量。
2、真空状态下，真空室中空气极少，膜料分子从蒸发源到达基片表面的路程中几乎不与残留在真空室中的气体分子碰撞，即分子自由程长。膜料容易沉积在基片上。
3、由于真空室中气体分子少，因而氧分子、硫分子等化学活泼分子也少，高温状态的膜料分子就不会与之发生化学变化，从而保证膜层的膜料纯度。

高的真空度、低基板温度、快蒸