A.脑梗死属于适应证
B.扫描方向由下至上
C.在扫描层面上方设置预饱和带
D.为了减轻饱和效应需适当增加TR
E.应采用流动补偿技术

A.T₁WI序列
B.T₂WI序列
C.DWI序列
D.SWI序列
E.PWI序列

A.横断面FSE-T₁WI序列
B.横断面FSE-T₂WI序列
C.横断面FSE-T₂flairWI序列
D.横断面DWI序列
E.脑MRA

A.横断面FSE-T₁WI序列
B.横断面FSE-T₂WI序列
C.横断面FSE-T₂flairwI序列
D.冠状面FSE-T₂flairWI序列
E.矢状面FSE-T₁WI序列

A.急性脑梗死
B.急性脑外伤
C.胶质瘤
D.脑血管畸形
E.颅内感染

A.TR
B.TE
C.ETL
D.FA
E.FOV

A.SE
B.FSE
C.FRFSE
D.True FISP序列
E.FSPGR

A.MR胰胆管成像
B.MR泌尿系成像
C.MR血管成像
D.内耳迷路水成像
E.MR椎管水成像

A.完善的射频屏蔽
B.扫描期间关闭扫描间大门
C.扫描期间关闭磁体室照明
D.禁止磁场附近使用移动电话
E.禁止磁场附近使用其他无线电发射装置

A.扫描野减少
B.频率编码增加
C.相位编码增加
D.平均采集次数增加
E.扫描层厚减少

A.扫描矩阵减少
B.重复时间增加
C.平均采集次数增加
D.射频带宽增加
E.翻转角增加