单项选择题X 纠错
A、内部缺陷处的漏磁通,比同样大小的表面缺陷为大
B、缺陷的漏磁通通常同试件上的磁通密度成反比
C、表面缺陷的漏磁通密度,随着离开表面距离的增加而急剧减弱
D、用有限线圈磁化长的试件,不需进行分段磁化
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单项选择题
A.缺陷离试件表面越近,形成的漏磁通越小
B.在磁化状态、缺陷类型和大小为一定时,其漏磁通密度受缺陷方向影响
C.交流磁化时,近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时的漏磁通要小
D.在磁场强度、缺陷类型和大小为一定时,其漏磁通密度受磁化方向影响;
E.除A以外都对
单项选择题
A.缺陷方向与磁力线平行时,漏磁场最大
B.漏磁场的大小与工件的磁化程度无关
C.漏磁场的大小与缺陷的深度和宽度的比值有关
D.工件表层下,缺陷所产生的漏磁场,随缺陷的埋藏深度增加而增大
单项选择题
A、磁化强度为一定时,缺陷高度小于1mm的形状相似的表面缺陷,其漏磁通与缺陷高度无关
B、缺陷离试件表面越近,缺陷漏磁通越小
C、在磁化状态、缺陷种类和大小为一定时,缺陷漏磁通密度受缺陷方向影响
D、交流磁化时,近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时要小
E、当磁化强度、缺陷种类和大小为一定时,缺陷处的漏磁通密度受磁化方向的影响
F、c,d和e都对