问答题X 纠错
通过NMOS场区的硼注入及场区选择氧化,增加场区的表面掺杂浓度及场区氧化层厚度,从而提高寄生NMOS管的阈值电压,使该阈值电压大于Vcc,实现了NMOS管之间的隔离。 LOCOS隔离的缺点:①鸟嘴浪费有源区面积影响集成度;②横向尺寸不能精确控制。
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