问答题X 纠错

简述倒掺杂阱技术的步骤。

参考答案：

连续三次离子注入
①第一次高能量（＞200KEV）、深结（~1.0μm）倒掺杂注入，以减小CMOS器件的闭锁效应；
②第二次中能量注入，以保证源漏击穿电压；
③第三次小剂量注入，以调整阈值电压。

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