①双阱工艺：备片→初氧氧化→光刻N阱区→N阱磷注入→刻蚀初氧层→光刻P阱区→P阱硼注入→阱推进
②LOCOS隔离工艺：垫氧氧化→氮化硅沉积→光刻有源区→光刻NMOS管场区→NMOS管场区硼注入→场区选择氧化
③多晶硅栅结构工艺：去除氮化硅→栅氧化→多晶硅沉积→多晶掺磷→光刻多晶硅
④源/漏（S/D）注入工艺：光刻NMOS管源漏区→NMOS管源漏区磷注入→光刻PMOS管源漏区→PMOS管源漏硼注入
⑤金属互连的形成：BPSG沉积→回流/增密→光刻接触孔→溅射Si-Al-Cu→光刻金属互连
⑥制作压点及合金：钝化→光刻压焊窗口→合金
⑦参数测试。

优点：非常好的间隙填充能力，成本低、温度低。
缺点：需要导电种子层，控制复杂。

优点：①台阶覆盖能力好；②能沉积金属合金；③能进行原位溅射刻蚀。
缺点：溅射速率低，金属膜含氩。