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参考答案:也称为化学机械抛光CMP是通过化学反应和机械研磨相结合的方法对表面起伏的硅片进行平坦化的过程。
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问答题

简述什么是硅化物及其作用。

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简述电迁移现象及解决方法。

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简述铝的结穿刺现象及解决方法。

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问答题

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问答题

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问答题

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参考答案:

优点:非常好的间隙填充能力,成本低、温度低。
缺点:需要导电种子层,控制复杂。

问答题

简述溅射的优缺点。

参考答案:

优点:①台阶覆盖能力好;②能沉积金属合金;③能进行原位溅射刻蚀。
缺点:溅射速率低,金属膜含氩。

问答题

简述蒸发的优缺点。

参考答案:

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缺点:①台阶覆盖能力差;②不能沉积金属合金。

问答题

简述沉积多晶硅采用什么CVD工具?掺杂的Poly-Si的主要用途。写出掺杂的Poly-Si做栅电极的6个原因。

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