问答题X 纠错

简述常压CVD系统（APCVD）的优缺点。

参考答案：

质量输运限制为主、气流控制要求高。
优点：沉积速度高。
缺点：膜致密性差、颗粒多，气体消耗大、硅片不可密集摆放，台阶覆盖差（主要决定于反应气体）。

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简述什么是异类反应和同类反应？

参考答案：异类反应：反应发生在硅片表面或非常接近表面。同类反应：反应发生在离硅片很远的高空。必须避免同类反应生成薄膜束状物，同类反...
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描述CVD生长的简化过程。写出影响CVD生长速率的因素。

参考答案：影响CVD生长速率的因素：①质量传输限制（常压CVD）；②表面反应限制（低压CVD）；③CVD气流动力学；④CVD反应中...
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简述集成电路对薄膜的要求。

参考答案：①好的台阶覆盖能力；②填充高深宽比间隙的能力；③好的厚度均匀性；④高纯度和高密度；⑤受控制的化学剂量；⑥高度的结构完整性...
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名词解释

化学气相沉积（CVD）

参考答案：化学气相沉积是利用电阻加热、等离子体、光辐射等能源使某些气态物质发生化学反应，生成固态物质并沉积在衬底表面形成薄膜的过程...
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参考答案：不用SF6等F基气体是因为Cl基气体刻蚀多晶硅对下层的栅氧化层有较高的选择比。
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为什么0.25微米以下工艺的干法刻蚀需要高密度等离子体？

参考答案：传统的RIE系统等离子体离化率最大0.1%，因而需要较多的气体以产生足够的粒子。较高的气压使得粒子碰撞频繁，反应粒子很难...
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简述ULSI对刻蚀的要求。

参考答案：①对不需要刻蚀的材料（主要是光刻胶和下层材料）的高选择比；②可接受产能的刻蚀速率；③好的侧壁剖面控制；④好的片内均匀性；...
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刻蚀有哪些参数？

参考答案：

①刻蚀速率；
②刻蚀偏差；
③选择比；
④均匀性；
⑤刻蚀剖面。

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简述法刻蚀的优缺点（与湿法刻蚀比）。

参考答案：优点：①刻蚀剖面各向异性，非常好的侧壁剖面控制；②好的CD控制；③最小的光刻胶脱落或粘附问题；④好的片内、片间、批间的刻...
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简述什么是干法刻蚀与湿法刻蚀。

参考答案：把硅片置于气态产生的等离子体，等离子体中的带正电离子物理轰击硅片表面，等离子体中的反应粒子与硅片表面发生化学反应，从而去...
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